Manganate: Informationen speichern mit „bekleideten“ Elektronen

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Text von: redaktion

Physiker entschlüsseln extreme Widerstandsänderungen in Metall-Sauerstoff-Verbindungen.

Bestimmte Metall-Sauerstoff-Verbindungen wie das Oxid des chemischen Elements Mangan weisen besondere Eigenschaften in ihrer Leitfähigkeit aus: So kann der elektrische Widerstand durch äußere Einwirkung so beeinflusst werden, dass sich ein Manganat von einem Isolator in einen Stromleiter verwandelt. Wissenschaftlern aus Göttingen, New York und Chicago ist es nun gelungen, die Ursachen dieser „kolossalen Widerstandsänderungen“ zu entschlüsseln.

Das Verständnis der physikalischen Effekte ist von Bedeutung für die Entwicklung einer neuen Form von Datenspeichern, sogenannten nichtflüchtigen Speicherchips für Handys und USB-Sticks. Dabei werden die Informationen abgelegt in unterschiedlichen Widerstandszuständen des Manganats, die durch kleine elektrische Impulse geschaltet werden können. Auf deutscher Seite wurden die Arbeiten am Institut für Materialphysik der Georg-August-Universität unter der Leitung von Privatdozent Christian Jooß durchgeführt. Die Forschungsergebnisse werden in den „Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America“ (PNAS) vom 21. August 2007 vorgestellt.